晶(jīng)圆(yuán)激(jī)光(guāng)划(huà)片(piàn)技(jì)术(shù)简(jiǎn)析(xī)

目(mù)前(qián)，行(xíng)业(yè)内(nèi)都(dōu)采用(yòng)了(le)激(jī)光(guāng)半(bàn)切(qiè) + 裂(liè)片(piàn)方(fāng)式(shì)进(jìn)行(xíng)芯(xīn)片(piàn)分(fēn)割(gē)，于(yú)🅱️晶(jīng)圆(yuán)正(zhèng)面(miàn)的(de)切(qiè)割(gē)道(dào)有(yǒu)玻(bō)璃(lí)钝(dùn)化(huà)层(céng)，工(gōng)艺(yì)要(yào)求(qiú)从(cóng)晶(jīng)圆(yuán)背(bèi)面(miàn)划(huà)切(qiè)，为(wèi)了(le)简(jiǎn)化(huà)工(gōng)艺(yì)流(liú)程(chéng)，晶(jīng)圆(yuán)背(bèi)面(miàn)一(yī)般(bān)不(bù)做(zuò)光(guāng)刻(kè)图(tú)形(xíng)，这(zhè)就(jiù)要(yào)求(qiú)设(shè)备(bèi)具(jù)备(bèi)底(dǐ)部(bù)对(duì)准(zhǔn)功(gōng)能(néng)，对(duì)位(wèi)晶(jīng)圆(yuán)正(zhèng)面(miàn)，激(jī)光(guāng)从(cóng)晶(jīng)圆(yuán)背(bèi)面(miàn)划切（如图 6 所示）。常规的硅晶圆厚度 280 μm，采用光纤激光划切，速度 150～200 mm/s，一次划切至2/3 到 3/4 深度，然后采用碾压式裂片方式，一次完成整个晶圆的芯片分离，是一种高性价比的工艺方法。切割效果如图 7 所示。氧化铝、氮化铝、碳化硅。

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2）激光开槽：采用非接触的激光加工去除晶圆切割道表面的金属布线层，支持晶圆的开槽和全切工艺，激光开槽宽度20-120μm连续可调，开槽深度可达26-30μm，有较好的槽型和深度稳定性，适用于切割道存在多金属、厚金、Low-K、钝化层等多种情况。激光开槽工艺🚁·官方网站登录入口技术解决常规刀片切割带来的崩边、金属卷边和金属残留等异常及正面钝化层破裂的品质问题，避免芯片产品存在可靠性风险。3）激光切割：隐形切割是将激光聚焦于晶圆内部以形成改质层，配合扩片将晶圆分割成die（裸片/裸晶）的切割方法。

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该技术可适用于加工最窄 20μm切割道的晶圆，（标准划片道由 60μm缩小至 20μm），提升晶圆芯片面积的利用率，提高 Gross dies的数量，预计降低芯片成本最大可达 30%以上。激光隐切技术可取代很多传统金刚石水切工艺无法解决的技术难题。利阳🏀芯拥有业内领先的无损内切激光隐切技术。另外，激光隐切属于干式环保工艺，无损内切在加工品质上的优势如下： ①可以抑制加工碎屑的产生，抗污，防止芯片的正背面崩边和侧崩，有效避免对芯片线路的损伤；②隐切对正面钝化层的保护更加完好，污染。

芯片三维集成激光隐形切割技术

2.3 激光隐形切割 激光 切 割 工 艺 又 分 为 激 光 完 全 切 割 （ F u l l Cu t t i n g ， 简 称 全 切 ） 和 激 光 隐 形 切 割 （ S t e a l t h Dicing，简称隐切）两种方式。激光隐形切割技术主要是将脉冲激光透过晶圆表面在材料内部聚焦，在材料内部形成改质层，再借由扩膜或裂片等方法将晶圆分割成单颗晶粒。切割材料的表面基本没有碎屑产生；同时隐形切割采用干法工艺减少了生产过程中的清洗工序，同时解决了传统切割技术在芯。

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如用王水溶解模组中的金、铂等贵金属，通过电解精炼得到高纯度金属。◦ 火法冶金：将模组中的金属材料高温熔炼，使金属与杂质分离。例如，在高温熔炉中，金属熔化形成合金，非金属杂质形成炉渣浮于表面，从而实现分离。◦ 非金属材料回收：激光模组中的塑料外壳、光学玻璃等非金属🔵·官方网站登录入口材料，可通过粉碎、清洗、造粒等工艺再生利用。例如，将塑料外壳粉碎后，经清洗去除杂质，再通过挤出机造粒，制成再生塑料颗粒，用于生产新的塑料制品。百度（官网）了解详情3. 元件修复与再制造技术◦ 激光芯片修复：针对激光模组。